实例介绍
【实例简介】
《模拟电子技术基础学习指导及习题解答》为王远主编的《模拟电子技术基础（第3版）》的配套教材，对主教材各章的基本内容、常见类型题进行了归纳和总结，对教材中的习题做了详细的分析和解答，并编写了几套综合测试题，使读者对教材的整体内容有更为全面地了解和掌握。
普通高等教育“十一五”国家级规划教材配套用书 模拟电子技术基础 学习指导及习题解答 主编郝艾芳 参编肖烜王波 机械工业出版社 本书为王远主编的《模拟电子技术基础(第3版)》的配套教材,对 主教材各章的基本内容、常见类型题进行了归纳和总结,对教材中的习题 做了详细的分析和解答,并编写了几套综合测试题,使读者对教材的整体 内容有更为全面地了解和掌握。 本书具有如下特点:①力求全面概括和总结“模拟电子技术基础 课程的基本内容及典型例题,可配合各种不同的教材,适用于不同的院 校;②为提高分析和解决问题的能力,对习题从解题思路和方法上作了较 为全面的分析;③综合测试题选自近年来不同院校的试卷,能够帮助读者 全面掌握整个课程的知识;④体书除可作为本科生课程的辅导教材外,还 可供报考硕士研究生的考生复习使用 图书在版编目(CTP)数据 模拟电子技术基础学习指导及习题解答/郝艾芳主编.一北京:机械工 业出版社,2011.1 普通高等教育“十一五”国家级规划教材配套用书 ISBN978-7-111-28797-1 I.①模…Ⅱ.①郝…Ⅲ.①模拟电路-电子技术-高等学校-教学 参考资料Ⅳ.①TN710 中国版本图书馆CIP数据核字(2010)第253481号 机械工业出版社(北京市百万庄大街22号邮政编码100037) 策划编辑:闫晓宇责任编辑:蔡家伦 封面设计:张静责任印制:乔宇 北京机工印刷厂印刷(三河市南杨庄国丰装订厂装订 2011年1月第1版第1次印刷 184mm×260mm·15.5印张·379千字 标准书号:ISBN978-7-111-28797-1 定价:31.00元 凡购本书,如有缺页、倒页、脱页,由本社发行部调换 电话服务 网络服务 社服务中心:(010)88361066门户网:地:∥www.cmpb.hook.com 销售一部:(010)68326294 销售二部:(010)88379649教材网:http.cmpeadu,om 读者服务部:(010)68993821封面无防伪标均为盗版 本书是为配合王远主编的《模拟电子技术基础》教材(机械工业出版社 2007年8月第3版)的使用而编写的。本书对教材各章的基本内容、常见类型 题进行了归纳和分析,对教材中所有的习题作了详细的分析和解答,并编写了 几套综合测试题方便读者更为全面地了解和掌握主教材的内容。 本书的结构、内容及编写特点如下: 1)各章序号及名称与教材一一对应。第1~10章均由两节组成,第1节为 “重点内容及例题详解”,第2节为“习题解答”。最后一部分为综合测试题及参 考答案和评分标准。 2)本书可以配合各种不同的教材,适用于不同的院校,力求全面概括和总 结模拟电子技术基础课程的重点内容及典型例题。 3)为了提高分析和解决问题的能力,对习题从解题思路和方法上作了较为 全面的分析,使读者深刻领会概念的实质并开拓解题思路 4)综合测试题大多数选自近年来不同院校本科生的期末考试或研究生入学 考试试题,每套试题的完成时间控制在120~150分钟,读者可以根据参考答案 及评分标准进行自我测评,了解自己各方面知识的掌握情况。从而帮助读者全 面掌握整个课程的知识内容和学习要求。 5)本书既可作为“模拟电子技术基础”课程的辅助用书,也可以供报考硕 士研究生的读者复习使用。 本书由北京理工大学郝艾芳任主编,负责全书的组织、安排及统稿。其中 第1~4章及综合测试题部分由郝艾芳编写,第5、6、8、9章由肖烜编写,第 7、10章由王波编写。 本书的编写得到了北京理工大学王远教授的悉心指导与大力支持,在此表 示深深的谢意。 书中大量习题的解答参考了过去机电系统高校电子技术课程协作组编写的 模拟电子技术教师手册,并作了大量的修改和补充。由于作者水平有限,书中 难免有错误及不妥之处,敬请读者批评指正。 编者 目录 前言 第1章半导体基础和二极管… 1.1重点内容及例题详解 1.1.1半导体的基础知识… 1.1.2半导体二极管 聊t·b。鲁 1.1.3稳压管 1.1.4例题详解… ·鲁D非● 1.2习题解答 第2章双极型晶体三极管和基本放大电路… 22399 2.1重点内容及例题详解 非p非·4章·ps·●·甲音香音;p小晶·。4自自·自卓晶·●·.·自·自··.····自· 2.1.1双极型晶体三极管 21.2放大电路的组成及主要技术指标 2.1.3放大电路的分析方法 …………10 2.1.4共射放大电路… 12 2.1.5共集放大电路 p·pDbb售画售争 2.1.6共基放大电路 2.1.7组合放大单元电路… …14 2.1.8例题详解… p着音鲁bb甲·曹·着 14 2.2习题解答 19 第3章场效应晶体管和基本放大电路 rDbD·番鲁面如b 37 3.1重点内容及例题详解 3.1.1场效应晶体管… 37 3.1.2场效应管放大电路 ……………39 3.1.3例题详解 3.2习题解答 Cp面即 45 第4章多级放大电路和集成运算放大电路 56 4.1重点内容及例题详解 56 4.1.1多级放大电路的耦合方式 ………………56 4.1.2多级放大电路的分析方法… 56 差动放大电路 56 4.1.4集成运算放大电路… 4.1.5例题详解… 58 4.2习题解答 …………62 第5章功率放大电路 79 5.1重点内容及例题详解… 79 5.1.1功率放大电路的基本概念 …79 5.1.2互补对称推挽功率放大电路 ………………79 5.1.3例题详解 81 5.2习题解答 由自非自鲁非·息静自。普 83 第6章放大电路的频率响应… …………91 6.1重点内容及例题详解… …91 6.1.1频率响应的基本概念 ∴………………91 6.1.2晶体管和场效应管的高频等效模型 ∴92 6.1.3单管放大电路的频率响应 非非非D·鲁 曲鲁。幽d·电罪·曲非bb 93 6.1.4放大电路频率的增益带宽积 …94 6.1.5多级放大电路的频率响应 看。番 94 6.1.6时域响应 申p。D。。看看鲁 ……95 6.1.7例题详解 95 6.2习题解答 97 第7章放大电路中的反馈 105 7.1重点内容及例题详解 ∴105 7.1.1反馈的基本概念 105 负反馈放大电路的四种基本类型 106 7.1.3负反馈对放大电路性能的影响 ……106 7.1.4负反馈放大电路的分析及近似计算 107 7.1.5放大电路中负反馈的正确引人…………………………………107 7.1.6负反馈放大电路的自激及消除… 108 7.1.7例题详解 108 7.2习题解答 ………114 Ⅵ 第8章集成运算放大电路的线性应用 ……………131 8.1重点内容及例题详解 131 8.1.1应用分类…………………………………………………………………………131 8.1.2基本运算电路 131 8.1.3乘法和除法运算电路 晶·非命命鲁D·申办是·。帽● 133 8.1.4反相输入运算电路的组成规律 135 8.1.5有源滤波电路 ……136 8.1.6开关电容滤波电路 …140 8.1.7例题详解 鲁··。·。·t··d看·.自·最看非即4 140 8.2习题解答 143 第9章波形发生电路和集成运放的非线性应用 ………159 91重点内容及例题详解 ……159 9.1.1集成运放的非线性应用… 159 91.2正弦波发生电路………………………159 9.1.3电压比较电路 162 9.1.4非正弦波发生电路… 163 9.1.5压控振荡器…… 166 9.1.6例题详解 166 9.2习题解答… 169 第10章直流电源 电。鲁番· 188 10.1重点内容及例题详解 …188 10.1.1概述… …188 10.1.2整流电路 ·晶· 188 10.1.3滤波电路 音。·鲁4。b司.自· 189 10.1.4稳压电路 189 10.1.5集成稳压电路…… ∴191 10.1.6例题详解 ………………………191 10.2习题解答… 193 综合测试题 ·鲁p。··· 自都·普··备··· 204 试卷1 省年 204 参考答案及评分标准 208 试卷2 ··自鲁··鲁·新咖翟 ∴……210 参考答案及评分标准 214 试卷3…… …216 参考答案及评分标准 ’。··p卓。甲··.·· p··萨D。·鲁·看·b留 ∴219 试卷4 …222 参考答案及评分标准 225 试卷5… 自;。··请鲁。。自非量自自鲁 …227 参考答案及评分标准 ∴……230 试卷6 鲁香·口 232 参考答案及评分标准……… 236 第1章半导体基础和二极管 1.1重点内容及例题详解 1.1.1半导体的基础知识 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,其导电能力随温度及掺杂浓度的不同而发生 显著的变化。高度提纯、几乎不掺任何杂质的半导体叫做本征半导体,硅和锗是两种常用的 半导体材料。 在本征半导体中掺人五价元素的杂质形成N型半导体;在本征半导体中掺入三价元素 的杂质形成P型半导体。半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电,N型半导体中多 数载流子是电子,少数载流子是空穴;P型半导体中多数载流子是空穴,少数载流子是电 子;但是杂质半导体本身呈电中性。 杂质半导体中多子的浓度取决于掺杂浓度,数值几乎与温度无关,而少子的浓度主要取 决于本征激发,受温度影响较大。 半导体中载流子的运动分为扩散和漂移,载流子在外电场作用下的定向运动叫做漂移运 动,因浓度差而引起的载流子的定向运动叫做扩散运动。 同一块半导体中,一边掺杂成N型,一边掺杂成P型,在两边的交接处就会形成PN 结 PN结具有单向导电性。正偏时,外电场削弱 // mA 内电场,有利于多子扩散,不利于少子漂移,由 多子扩散形成较大的正向电流,PN结处于正向导 通状态。反偏时,外电场增强了内电场,不利于 多子扩散,但有利于少子漂移,由少子漂移形成 很小的反向电流,ⅨN结处于反向截止状态。PN 结的伏安特性如图1-1所示,其表达式为 UBR 30 201 U/V 030.609 当加在PN结上的反向电压超过一定数值时 0.1 反向电流急剧增大,PN绪被击穿,根据击穿机理 /μA 的不同分为齐纳击穿和雪崩击穿。 11.2半导体二极管 图11PN结的伏安特性 1.二极管的伏安特性与参数 二极管是由PN结外邡电极、引线封装而成的,符号如图1-2所示。二极管的伏安特性 与PN结基本相同。 二极管具有单向导电性。当正向电压大于阈值电压时,二极 管导通,产生正向电流。外加电压小于阀值电压或加反向电压时, 二极管截止,反向电流几乎为零。 图12二极管的符号 【实例截图】
【核心代码】
《模拟电子技术基础学习指导及习题解答》为王远主编的《模拟电子技术基础（第3版）》的配套教材，对主教材各章的基本内容、常见类型题进行了归纳和总结，对教材中的习题做了详细的分析和解答，并编写了几套综合测试题，使读者对教材的整体内容有更为全面地了解和掌握。
普通高等教育“十一五”国家级规划教材配套用书 模拟电子技术基础 学习指导及习题解答 主编郝艾芳 参编肖烜王波 机械工业出版社 本书为王远主编的《模拟电子技术基础(第3版)》的配套教材,对 主教材各章的基本内容、常见类型题进行了归纳和总结,对教材中的习题 做了详细的分析和解答,并编写了几套综合测试题,使读者对教材的整体 内容有更为全面地了解和掌握。 本书具有如下特点:①力求全面概括和总结“模拟电子技术基础 课程的基本内容及典型例题,可配合各种不同的教材,适用于不同的院 校;②为提高分析和解决问题的能力,对习题从解题思路和方法上作了较 为全面的分析;③综合测试题选自近年来不同院校的试卷,能够帮助读者 全面掌握整个课程的知识;④体书除可作为本科生课程的辅导教材外,还 可供报考硕士研究生的考生复习使用 图书在版编目(CTP)数据 模拟电子技术基础学习指导及习题解答/郝艾芳主编.一北京:机械工 业出版社,2011.1 普通高等教育“十一五”国家级规划教材配套用书 ISBN978-7-111-28797-1 I.①模…Ⅱ.①郝…Ⅲ.①模拟电路-电子技术-高等学校-教学 参考资料Ⅳ.①TN710 中国版本图书馆CIP数据核字(2010)第253481号 机械工业出版社(北京市百万庄大街22号邮政编码100037) 策划编辑:闫晓宇责任编辑:蔡家伦 封面设计:张静责任印制:乔宇 北京机工印刷厂印刷(三河市南杨庄国丰装订厂装订 2011年1月第1版第1次印刷 184mm×260mm·15.5印张·379千字 标准书号:ISBN978-7-111-28797-1 定价:31.00元 凡购本书,如有缺页、倒页、脱页,由本社发行部调换 电话服务 网络服务 社服务中心:(010)88361066门户网:地:∥www.cmpb.hook.com 销售一部:(010)68326294 销售二部:(010)88379649教材网:http.cmpeadu,om 读者服务部:(010)68993821封面无防伪标均为盗版 本书是为配合王远主编的《模拟电子技术基础》教材(机械工业出版社 2007年8月第3版)的使用而编写的。本书对教材各章的基本内容、常见类型 题进行了归纳和分析,对教材中所有的习题作了详细的分析和解答,并编写了 几套综合测试题方便读者更为全面地了解和掌握主教材的内容。 本书的结构、内容及编写特点如下: 1)各章序号及名称与教材一一对应。第1~10章均由两节组成,第1节为 “重点内容及例题详解”,第2节为“习题解答”。最后一部分为综合测试题及参 考答案和评分标准。 2)本书可以配合各种不同的教材,适用于不同的院校,力求全面概括和总 结模拟电子技术基础课程的重点内容及典型例题。 3)为了提高分析和解决问题的能力,对习题从解题思路和方法上作了较为 全面的分析,使读者深刻领会概念的实质并开拓解题思路 4)综合测试题大多数选自近年来不同院校本科生的期末考试或研究生入学 考试试题,每套试题的完成时间控制在120~150分钟,读者可以根据参考答案 及评分标准进行自我测评,了解自己各方面知识的掌握情况。从而帮助读者全 面掌握整个课程的知识内容和学习要求。 5)本书既可作为“模拟电子技术基础”课程的辅助用书,也可以供报考硕 士研究生的读者复习使用。 本书由北京理工大学郝艾芳任主编,负责全书的组织、安排及统稿。其中 第1~4章及综合测试题部分由郝艾芳编写,第5、6、8、9章由肖烜编写,第 7、10章由王波编写。 本书的编写得到了北京理工大学王远教授的悉心指导与大力支持,在此表 示深深的谢意。 书中大量习题的解答参考了过去机电系统高校电子技术课程协作组编写的 模拟电子技术教师手册,并作了大量的修改和补充。由于作者水平有限,书中 难免有错误及不妥之处,敬请读者批评指正。 编者 目录 前言 第1章半导体基础和二极管… 1.1重点内容及例题详解 1.1.1半导体的基础知识… 1.1.2半导体二极管 聊t·b。鲁 1.1.3稳压管 1.1.4例题详解… ·鲁D非● 1.2习题解答 第2章双极型晶体三极管和基本放大电路… 22399 2.1重点内容及例题详解 非p非·4章·ps·●·甲音香音;p小晶·。4自自·自卓晶·●·.·自·自··.····自· 2.1.1双极型晶体三极管 21.2放大电路的组成及主要技术指标 2.1.3放大电路的分析方法 …………10 2.1.4共射放大电路… 12 2.1.5共集放大电路 p·pDbb售画售争 2.1.6共基放大电路 2.1.7组合放大单元电路… …14 2.1.8例题详解… p着音鲁bb甲·曹·着 14 2.2习题解答 19 第3章场效应晶体管和基本放大电路 rDbD·番鲁面如b 37 3.1重点内容及例题详解 3.1.1场效应晶体管… 37 3.1.2场效应管放大电路 ……………39 3.1.3例题详解 3.2习题解答 Cp面即 45 第4章多级放大电路和集成运算放大电路 56 4.1重点内容及例题详解 56 4.1.1多级放大电路的耦合方式 ………………56 4.1.2多级放大电路的分析方法… 56 差动放大电路 56 4.1.4集成运算放大电路… 4.1.5例题详解… 58 4.2习题解答 …………62 第5章功率放大电路 79 5.1重点内容及例题详解… 79 5.1.1功率放大电路的基本概念 …79 5.1.2互补对称推挽功率放大电路 ………………79 5.1.3例题详解 81 5.2习题解答 由自非自鲁非·息静自。普 83 第6章放大电路的频率响应… …………91 6.1重点内容及例题详解… …91 6.1.1频率响应的基本概念 ∴………………91 6.1.2晶体管和场效应管的高频等效模型 ∴92 6.1.3单管放大电路的频率响应 非非非D·鲁 曲鲁。幽d·电罪·曲非bb 93 6.1.4放大电路频率的增益带宽积 …94 6.1.5多级放大电路的频率响应 看。番 94 6.1.6时域响应 申p。D。。看看鲁 ……95 6.1.7例题详解 95 6.2习题解答 97 第7章放大电路中的反馈 105 7.1重点内容及例题详解 ∴105 7.1.1反馈的基本概念 105 负反馈放大电路的四种基本类型 106 7.1.3负反馈对放大电路性能的影响 ……106 7.1.4负反馈放大电路的分析及近似计算 107 7.1.5放大电路中负反馈的正确引人…………………………………107 7.1.6负反馈放大电路的自激及消除… 108 7.1.7例题详解 108 7.2习题解答 ………114 Ⅵ 第8章集成运算放大电路的线性应用 ……………131 8.1重点内容及例题详解 131 8.1.1应用分类…………………………………………………………………………131 8.1.2基本运算电路 131 8.1.3乘法和除法运算电路 晶·非命命鲁D·申办是·。帽● 133 8.1.4反相输入运算电路的组成规律 135 8.1.5有源滤波电路 ……136 8.1.6开关电容滤波电路 …140 8.1.7例题详解 鲁··。·。·t··d看·.自·最看非即4 140 8.2习题解答 143 第9章波形发生电路和集成运放的非线性应用 ………159 91重点内容及例题详解 ……159 9.1.1集成运放的非线性应用… 159 91.2正弦波发生电路………………………159 9.1.3电压比较电路 162 9.1.4非正弦波发生电路… 163 9.1.5压控振荡器…… 166 9.1.6例题详解 166 9.2习题解答… 169 第10章直流电源 电。鲁番· 188 10.1重点内容及例题详解 …188 10.1.1概述… …188 10.1.2整流电路 ·晶· 188 10.1.3滤波电路 音。·鲁4。b司.自· 189 10.1.4稳压电路 189 10.1.5集成稳压电路…… ∴191 10.1.6例题详解 ………………………191 10.2习题解答… 193 综合测试题 ·鲁p。··· 自都·普··备··· 204 试卷1 省年 204 参考答案及评分标准 208 试卷2 ··自鲁··鲁·新咖翟 ∴……210 参考答案及评分标准 214 试卷3…… …216 参考答案及评分标准 ’。··p卓。甲··.·· p··萨D。·鲁·看·b留 ∴219 试卷4 …222 参考答案及评分标准 225 试卷5… 自;。··请鲁。。自非量自自鲁 …227 参考答案及评分标准 ∴……230 试卷6 鲁香·口 232 参考答案及评分标准……… 236 第1章半导体基础和二极管 1.1重点内容及例题详解 1.1.1半导体的基础知识 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,其导电能力随温度及掺杂浓度的不同而发生 显著的变化。高度提纯、几乎不掺任何杂质的半导体叫做本征半导体,硅和锗是两种常用的 半导体材料。 在本征半导体中掺人五价元素的杂质形成N型半导体;在本征半导体中掺入三价元素 的杂质形成P型半导体。半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电,N型半导体中多 数载流子是电子,少数载流子是空穴;P型半导体中多数载流子是空穴,少数载流子是电 子;但是杂质半导体本身呈电中性。 杂质半导体中多子的浓度取决于掺杂浓度,数值几乎与温度无关,而少子的浓度主要取 决于本征激发,受温度影响较大。 半导体中载流子的运动分为扩散和漂移,载流子在外电场作用下的定向运动叫做漂移运 动,因浓度差而引起的载流子的定向运动叫做扩散运动。 同一块半导体中,一边掺杂成N型,一边掺杂成P型,在两边的交接处就会形成PN 结 PN结具有单向导电性。正偏时,外电场削弱 // mA 内电场,有利于多子扩散,不利于少子漂移,由 多子扩散形成较大的正向电流,PN结处于正向导 通状态。反偏时,外电场增强了内电场,不利于 多子扩散,但有利于少子漂移,由少子漂移形成 很小的反向电流,ⅨN结处于反向截止状态。PN 结的伏安特性如图1-1所示,其表达式为 UBR 30 201 U/V 030.609 当加在PN结上的反向电压超过一定数值时 0.1 反向电流急剧增大,PN绪被击穿,根据击穿机理 /μA 的不同分为齐纳击穿和雪崩击穿。 11.2半导体二极管 图11PN结的伏安特性 1.二极管的伏安特性与参数 二极管是由PN结外邡电极、引线封装而成的,符号如图1-2所示。二极管的伏安特性 与PN结基本相同。 二极管具有单向导电性。当正向电压大于阈值电压时,二极 管导通,产生正向电流。外加电压小于阀值电压或加反向电压时, 二极管截止,反向电流几乎为零。 图12二极管的符号 【实例截图】
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