实例介绍
【实例简介】
bh1750中文使用手册，讲解非常详细！值得一看！
●参考数据 测 结 果 果 L ReG 081624324C485364 1010010001001000C 50207Q209c010y 波长【mm 光强度[ 光强度[kx] Fig1光谱响应 Fig2光强度测量结果 Fig.3光强度测量结果2 03 06 果 0.2 20406083100 Ant Angle deg 温度 方向特性⊥ ig.5 方向特性2 Fig 6 暗反应 12 20 灾光 白炽光 卤素光 测 rIptorl 光 人工阳光 02 白色LED 温度Ic Fig.7测量精度 Fig8光源依赖 Fig 9 VCC-ICC 温度依赖性 荧光灯设置为“1” 测量期间 DVE18V VCC=3V 例 电 D01 Ta["℃] g Fg11测量结果 Fig.12测量结果 淅电 VCC依赖 DⅥI依赖 ●框图 VCC DVI H SCL AMP ADC SDA PD OSC □〓_=口 GN ●框图描述 接近人眼反应的光敏二极管。( 集成运算放大器:将PD电流转换为PD电压。 模数转换获取16位数字数据。 · Logic- IC Interface(逻辑+IC界血 光强度计算和℃总线接口,包括下砂存器: 数据寄存器→光强度数据寄存。视始宣是:“00000 测量时间寄右器→时间测量数娘存。初始值是:000 OSC 内部振荡器(时钟频率典型准植:320kHz)。该时钟为内部逻鞋时钟 ●测量程序步骤 自动变为电源断 提供电源和DV供应后初始状 电模式状态 态是电源断电模式。 断电 通电 -----------2 测量指令 次测量 连续测量 通过PC写指令 *可能忽略通电指令 自动状态转换 ●指令集合结构 指令 功能代码 注释 断电 00000000 无激活状态。 通电 00000001 等待测量指令。 重置数字寄存器值,重置指令在断电模式下 重置 00000111 不起作用。 在11x分辨率下开始测量。 连续H分辨率模式 00010000 测量时间一般为120ms 在0.51x分辨率下开始测量。 连续H分辨率模式20001001 测量时间一般为120ms。 在41x分辨率下开始测是 连续L分辨率模式 00010011 测量时间一般为160 在11x分辨率下免始测量 次H分辨率模式 00100000 测量时间一般为120ms 测量后合动设置为断电模式。 耷9.51x分辨率下开始测量。 一次H分班率模式2000测量时间一般为10 测量后自动设置为断电模式。 在411x分辨率下开始测量 次L分辨率模式 00100011 测量时间一般为16ms 测量后自动设置为断电模式。 改变测量时间 改变测量时间(高 位) 0100665※请参考“根据光学崩窗的影响词整测 量结果。 改变测量时间 改变测量时间(低 位) 011MT4,3,2,,0]※请参考“根据光学扇窗的影响词整测 量结果。” ※请勿输入其他功能码。 测量模式说明 测量模式 测量时间 分辨率 H分辨率模式2典型时间:120ms H分辨率模式 典型时间:120ms 11x L-分辨率模式典型时间:16ms 41x 我们建议您使用H分辨率模式。 H分辨率模式下足够长的测量时间(积分时间)能够抑制一些噪声(包括50Hz/0Hz)。 同时,H分辨率模式的分辨率在1卜,适用于黑踣场合卜(少于10ⅸ)。H分辨率模 式2同样适用于黑暗场合下的检测。 ●解释异步复位和重置的命令 1.异步重置 电源供应时序基础上将所有寄存器复位序列。请参考本页的vCC和DⅥ电源供给时序 图供电序列。在DV=“"时是电源掉电模式。 2.重置命令 重置命令仅对光强度数据寄存器起作用指令值为0")。电源供应对其无影响。它的 作用是原来清除之前的测量结果。这个命令不能在断电模式所以在输入该指令前要没 置为通电模式 和电源供应时序图 DⅥ是C总线的参考电压终端,同时也是异步重置在v供应后必须设置为L” 在DⅥ设置为“L”期间,内部状态设置为电源掉电模式 1.VCC和DVI电源供应时序图1 VcC DV 重置时间(大于1u5) 2.VCC和DV电源供应时序图2 Vo D√ 忽略此状态重置间(大于1u5) 在系统未给足DⅥ“L”时间(1u5)时,ADDR,SDA,SCL不稳定 在这种情况下,在没有直接接电源或接地之前,请把寄存器(接近10009)直接连接 到ADDR,因为它是3种状态的内部缓冲测试。( ●从“写指示”到“读出测量结果”的测量时序实例 实例1.(ADDR='L’) 由主到从 由从到上 1.发送“连续高分辨率模式”指令 0100011 0 Ack 00010000 Ack SP 2.等待完成第一次高大分分辨率模式的测量(最大时间180ms) 3.读测量结果。 0103011 High Byte「1581 Ack Low Byte[70] ∧ck|sP 当数据为高字节“10000011”和低字节“10010000”时怎样计 (2+2+2+2+2)/1228067[x 实例2.一次低分辨率模式(ADDR='H) 1.发送“1次低分辨率模式”指令 ST 1011100 0 Ack 00100011 AckS 2.等待完成低大分分辨率模式的测量染时间2ms 读测量结果。 ST 1011100 1 Ack High Byte[15 81 Ack LOw Byte [7: 0] Ack SP 当数据为高字节“QQ00001”和低字节“00010000”时怎样计算。 (22)n2271× 在一次测量测量结束状态转換为断电模式,如果需要更新数据,请重新发送测量指 终端应用电路实例 DⅥ终端是一个异步重置终端。请注意如果在启动连接VCC完毕后没有设置重置区, 可能导致集成电路不正常运行。(请参阅“DⅥ和VCC电源供应时序图” 这下面搆述中的应用电路实例中,省略了SDA和SCL和终端。在设计时,请设计满足 12C总线标准以便达到理想状态。此外,实例还省了ADDR终端设计因素,在进行ADR 终端设计时,请参阅“DⅥ和VCC电源供应时序图” 实例1.连接控制信号线(如:CPU) BH1750FVI SCL 0.1pF I ADDR DVI Controller 0.1pF GND SDA 实例2.重置集成电路的应用 1.“推拉式”重置lC BH1750FⅥl O lHF- 日 ADDR DVI1=| RESET 口GND SDA口 Reset IC( Push-Pull type 3 2.打开重置lC的漏极输出 1k○hm SCLL 0.1pF 0.1pF RESET SDA Reset IC( opan crain yp 实例3.另一种供电模式 BH1750FVI SCL V1 ADDR DVI GND SDA 0.1pF ※DⅥ提供电源标准应低于VCC提供电源标准,以保让重置区止常(≥1us)。 实例4.利用cR将LPF插入vCc与DⅥ之间 R1: 1kOhm BHT750F∨ 0.1F DD C1: 1uF DAP ◆当CR电路插入到VCc和DI中应注意的事项 ※请注意当VC上升时间太长时打开电源供给,重置区域有可能不能满足。 ※当VCC关闭时,DV电压开始高于VCC电压,但是如果使用推荐常数就不会发生IC 破坏。(R1=1k9,C1=1μF) ※请注意当切断vCC后的等待时间不够长,重置区域有可能不能满足 DVI 04V ction:‖ Us or more 令在改计时,确保重合闸电源供应后,車置区在1us以上。 ◆在VC28时,CR电路插入到VC和DV中的设备设计实例(C=1uFR=1ka) ①从0到2.4V的电源上几时间必须采用00电源 ②当电源关闭后,请等待至少25@此来保证重置区域的时间(≥1us) 电源上升时间≤100us,供电重合闸时间≥25ms 2.8V DVI 0.4V 0.05V 0 卡 set section: 1 ◇在设计时,确保重合阐电源供应后,重置区在1us以上。 总线通路 1.IC总线接口时序图 写测量指令和读测量结果指令都是由12C总线接口完成的。请参考」正规的12C总线接 口和时序图。 SDAH U DAT A SCL 2.从属地址 从属地址有2中形式,由ADDR端口决定。 ADDR=“H”(ADDR三0.7VCC)→“1011100” ADDR=“L”(ADDR至0.3VCC)→“0100011” 3.写格式 BH750FV不能再停机状态接收复数指令。请在个 Opcode后插入sP。 4.读格式 ST Slave Address R/ Ack High Byte[15: 8 15214 Byte 7: 1 由主到从 由从到主 例 High Byte =1000 0011 Low Byte=1001_0000 (2+2+28+3424)/12+28071 ?c总线利浦斯半导体产品,请参考止式规格 【实例截图】
【核心代码】
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●参考数据 测 结 果 果 L ReG 081624324C485364 1010010001001000C 50207Q209c010y 波长【mm 光强度[ 光强度[kx] Fig1光谱响应 Fig2光强度测量结果 Fig.3光强度测量结果2 03 06 果 0.2 20406083100 Ant Angle deg 温度 方向特性⊥ ig.5 方向特性2 Fig 6 暗反应 12 20 灾光 白炽光 卤素光 测 rIptorl 光 人工阳光 02 白色LED 温度Ic Fig.7测量精度 Fig8光源依赖 Fig 9 VCC-ICC 温度依赖性 荧光灯设置为“1” 测量期间 DVE18V VCC=3V 例 电 D01 Ta["℃] g Fg11测量结果 Fig.12测量结果 淅电 VCC依赖 DⅥI依赖 ●框图 VCC DVI H SCL AMP ADC SDA PD OSC □〓_=口 GN ●框图描述 接近人眼反应的光敏二极管。( 集成运算放大器:将PD电流转换为PD电压。 模数转换获取16位数字数据。 · Logic- IC Interface(逻辑+IC界血 光强度计算和℃总线接口,包括下砂存器: 数据寄存器→光强度数据寄存。视始宣是:“00000 测量时间寄右器→时间测量数娘存。初始值是:000 OSC 内部振荡器(时钟频率典型准植:320kHz)。该时钟为内部逻鞋时钟 ●测量程序步骤 自动变为电源断 提供电源和DV供应后初始状 电模式状态 态是电源断电模式。 断电 通电 -----------2 测量指令 次测量 连续测量 通过PC写指令 *可能忽略通电指令 自动状态转换 ●指令集合结构 指令 功能代码 注释 断电 00000000 无激活状态。 通电 00000001 等待测量指令。 重置数字寄存器值,重置指令在断电模式下 重置 00000111 不起作用。 在11x分辨率下开始测量。 连续H分辨率模式 00010000 测量时间一般为120ms 在0.51x分辨率下开始测量。 连续H分辨率模式20001001 测量时间一般为120ms。 在41x分辨率下开始测是 连续L分辨率模式 00010011 测量时间一般为160 在11x分辨率下免始测量 次H分辨率模式 00100000 测量时间一般为120ms 测量后合动设置为断电模式。 耷9.51x分辨率下开始测量。 一次H分班率模式2000测量时间一般为10 测量后自动设置为断电模式。 在411x分辨率下开始测量 次L分辨率模式 00100011 测量时间一般为16ms 测量后自动设置为断电模式。 改变测量时间 改变测量时间(高 位) 0100665※请参考“根据光学崩窗的影响词整测 量结果。 改变测量时间 改变测量时间(低 位) 011MT4,3,2,,0]※请参考“根据光学扇窗的影响词整测 量结果。” ※请勿输入其他功能码。 测量模式说明 测量模式 测量时间 分辨率 H分辨率模式2典型时间:120ms H分辨率模式 典型时间:120ms 11x L-分辨率模式典型时间:16ms 41x 我们建议您使用H分辨率模式。 H分辨率模式下足够长的测量时间(积分时间)能够抑制一些噪声(包括50Hz/0Hz)。 同时,H分辨率模式的分辨率在1卜,适用于黑踣场合卜(少于10ⅸ)。H分辨率模 式2同样适用于黑暗场合下的检测。 ●解释异步复位和重置的命令 1.异步重置 电源供应时序基础上将所有寄存器复位序列。请参考本页的vCC和DⅥ电源供给时序 图供电序列。在DV=“"时是电源掉电模式。 2.重置命令 重置命令仅对光强度数据寄存器起作用指令值为0")。电源供应对其无影响。它的 作用是原来清除之前的测量结果。这个命令不能在断电模式所以在输入该指令前要没 置为通电模式 和电源供应时序图 DⅥ是C总线的参考电压终端,同时也是异步重置在v供应后必须设置为L” 在DⅥ设置为“L”期间,内部状态设置为电源掉电模式 1.VCC和DVI电源供应时序图1 VcC DV 重置时间(大于1u5) 2.VCC和DV电源供应时序图2 Vo D√ 忽略此状态重置间(大于1u5) 在系统未给足DⅥ“L”时间(1u5)时,ADDR,SDA,SCL不稳定 在这种情况下,在没有直接接电源或接地之前,请把寄存器(接近10009)直接连接 到ADDR,因为它是3种状态的内部缓冲测试。( ●从“写指示”到“读出测量结果”的测量时序实例 实例1.(ADDR='L’) 由主到从 由从到上 1.发送“连续高分辨率模式”指令 0100011 0 Ack 00010000 Ack SP 2.等待完成第一次高大分分辨率模式的测量(最大时间180ms) 3.读测量结果。 0103011 High Byte「1581 Ack Low Byte[70] ∧ck|sP 当数据为高字节“10000011”和低字节“10010000”时怎样计 (2+2+2+2+2)/1228067[x 实例2.一次低分辨率模式(ADDR='H) 1.发送“1次低分辨率模式”指令 ST 1011100 0 Ack 00100011 AckS 2.等待完成低大分分辨率模式的测量染时间2ms 读测量结果。 ST 1011100 1 Ack High Byte[15 81 Ack LOw Byte [7: 0] Ack SP 当数据为高字节“QQ00001”和低字节“00010000”时怎样计算。 (22)n2271× 在一次测量测量结束状态转換为断电模式,如果需要更新数据,请重新发送测量指 终端应用电路实例 DⅥ终端是一个异步重置终端。请注意如果在启动连接VCC完毕后没有设置重置区, 可能导致集成电路不正常运行。(请参阅“DⅥ和VCC电源供应时序图” 这下面搆述中的应用电路实例中,省略了SDA和SCL和终端。在设计时,请设计满足 12C总线标准以便达到理想状态。此外,实例还省了ADDR终端设计因素,在进行ADR 终端设计时,请参阅“DⅥ和VCC电源供应时序图” 实例1.连接控制信号线(如:CPU) BH1750FVI SCL 0.1pF I ADDR DVI Controller 0.1pF GND SDA 实例2.重置集成电路的应用 1.“推拉式”重置lC BH1750FⅥl O lHF- 日 ADDR DVI1=| RESET 口GND SDA口 Reset IC( Push-Pull type 3 2.打开重置lC的漏极输出 1k○hm SCLL 0.1pF 0.1pF RESET SDA Reset IC( opan crain yp 实例3.另一种供电模式 BH1750FVI SCL V1 ADDR DVI GND SDA 0.1pF ※DⅥ提供电源标准应低于VCC提供电源标准,以保让重置区止常(≥1us)。 实例4.利用cR将LPF插入vCc与DⅥ之间 R1: 1kOhm BHT750F∨ 0.1F DD C1: 1uF DAP ◆当CR电路插入到VCc和DI中应注意的事项 ※请注意当VC上升时间太长时打开电源供给,重置区域有可能不能满足。 ※当VCC关闭时,DV电压开始高于VCC电压,但是如果使用推荐常数就不会发生IC 破坏。(R1=1k9,C1=1μF) ※请注意当切断vCC后的等待时间不够长,重置区域有可能不能满足 DVI 04V ction:‖ Us or more 令在改计时,确保重合闸电源供应后,車置区在1us以上。 ◆在VC28时,CR电路插入到VC和DV中的设备设计实例(C=1uFR=1ka) ①从0到2.4V的电源上几时间必须采用00电源 ②当电源关闭后,请等待至少25@此来保证重置区域的时间(≥1us) 电源上升时间≤100us,供电重合闸时间≥25ms 2.8V DVI 0.4V 0.05V 0 卡 set section: 1 ◇在设计时,确保重合阐电源供应后,重置区在1us以上。 总线通路 1.IC总线接口时序图 写测量指令和读测量结果指令都是由12C总线接口完成的。请参考」正规的12C总线接 口和时序图。 SDAH U DAT A SCL 2.从属地址 从属地址有2中形式,由ADDR端口决定。 ADDR=“H”(ADDR三0.7VCC)→“1011100” ADDR=“L”(ADDR至0.3VCC)→“0100011” 3.写格式 BH750FV不能再停机状态接收复数指令。请在个 Opcode后插入sP。 4.读格式 ST Slave Address R/ Ack High Byte[15: 8 15214 Byte 7: 1 由主到从 由从到主 例 High Byte =1000 0011 Low Byte=1001_0000 (2+2+28+3424)/12+28071 ?c总线利浦斯半导体产品,请参考止式规格 【实例截图】
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