实例介绍
TMS320VC5509A_开发板使用手册
鸿翔电子 第一章概迷 1.1特点 口采用TMS320VC5509A200MHz ◆片上存储器 SRAM 128KX16位 ROM 32KX16位 ◆片上外设 ◆20位定时器:2路 ◆ MCBSP: 3通道 ◆ MMCISL接凵:2通道 ◆ADC 2通道,10位,21.5kHz,0-3.3V ◆实时时钟RTC ◆看门狗电路 ◆IC总线 ◆外扩 SDRAM,配胃为4MX16位 ◆外扩 MMCISD卡接口 ◆AC97标准的 audio音频接口 ◆外扩USB2.0全速USB从接口 ◆外扩10M以太网接口 ◆由CPLD检测的按键输入 ◆由VC5509的GPO驱动的8个LED指示灯 ◆完备的总线扩展 1.2概述 在鸿翔电了HX-5509A开发板是为学习、评估T的TMS320VC5509A而开发的,主 要包含两部分:碩件模板和相应的测试软件。 在鸿翔电子HX-5509A开发板上集成了DSP、 SDRAM、 Codec、USB、MMC/SD、 Ethernet等接∏外设以及开放给用户的DSP总线扩展。这样使其能够应用在语音处理及其它 相关领域。 相应的测试软件包括 鸿翔电子 CPU看门狗实验 LED跑马灯实验 CPU Timer定时器实验 实时时钟实验 扩展 SDRAM读写实验 扩展 FLASH读写实验 键盘扫描实验 外部中断输入实验 AIC23播音实验 CD显示实验 串口通信实验 USB2.0通信实验 网络通信实验 MMC/SD卡通信实验 3技术指标 主处理器:TMS320VC5509A,主频200MIz SDRAM:4MX16位,72MIz Codec:双声道、立体声输入/输出,最髙采样率96kHz USB:符合USB1.1规沱,最高速度为12Mb/s 工作温度:0°C~70°C 鸿翔电子 第二章TMS320VC5509A开发板介绍 2.1TMs32oVc5509 数据位数:16位定点DSP 最高主频:200MHz 供电:1.6V内核,3.3VIO 结构:哈佛结构(程序和数据分开) 2.2时钟 VC5509A有两个外部时钟输入: 系统时钟:为CPU及片内外设提供时钟信号 实时时钟:为RTC提供时钟信号,可于系统断电后通过电池供电工作 关于时钟部分请参阋《TMS320VC5509 A Data Shcct》。 22.1系统吋钟 VC509内涵振荡电路,当使用内部振荡电路时,外部镜头的频率范围为5MIZ 2OMHL;而使用外部时钟输入时,注意X2/ CLKIN为时钟输入,而Ⅹ1悬空。 X2GLKIN X1 Cry C1 2 FREQUENCY RANGE(MHz) MAX ESR 2) TYP CLOAD(OF) MAX CSHUNT(PF) Rs(口 2T-15 10 7 16 12-10 100 10-8 18 470 L. bk 2.2k 由」C5509内部USB接口需要一个48MHZ的时钟输入,因而在应选时钟输入或品 体的频率为48的倍数,这样通过DPLL可以实现48MHZ时钟输出给USB使用。 本开发板采用12MHZ晶体为系统提供时钟,对其进行12倍频产生144 MHZ CPU主时 鸿翔电子 钟,4倍频产生USB所需的48MHZ时钟。 VC509内部包含一个数字锁相环(DPLL),它可以通过时钟模式寄存器 CLKMD的 PLL ENABLE位米使能与禁用。 口当PLL被禁用时,时钟输出可以作为时钟输入或是其的二分频或四分频。这样的 工作方式可以降低功耗。 口当PLL使能时,可对输入时钟进行适当倍频或分频,就可以获得何时的时钟频率 输出。但设萓 PLL ENABLE位,并且当上一个锁相过程已经结束时,VC5509进入锁相过 程 数字锁相工作过程如下: 下图说明了VC5509数字锁相环工作的几个过程状态(A-E)。当时钟模式寄存器 CLKMD被软件装入或是系统复位时,当 CLKMD使能PLL,锁相过程从A状态开始 禁止PLL时,时钟产生器进入D状态 Δ:已锁相状态。时钟发生器进入屏蔽PLL状态。此时输出信号已经与输入信号已经稳 定锁相;时钟输出是由PLLDⅣV与 PLL MULT两位来决定的。此时若重新写入 CLKMD, 可以进入下一次锁相过程,即进入B状态。 B:锁相状态。如果 CLKMD奇存器的IOB位为1,锁相过程结宋。进入C状态;如 果IOB为0,则进入A状态,重新进行锁定。 C:空闲状态。如果IDLE状态存在,IDLE指令可以将时钟发生器置为IDLE状态。当 时钟产生器正确从IDLE状态退出时,时钟发生器重新启动。 D:PLL被止,时钟输出由 BYPASS DIV位来控制,通过写 CLKMD可以改变时钟 发生器的状态。 E:空闲状态(从PLL禁止状态进入) 鸿翔电子 PL L disabled LOaC CLKMD PLL enabled with a now value Write tc A Write to CLKMD Bypass mode Locking the phase e mode Phase locked dem白de Phase lork exited t and Write to E 1oB=1 CLKMD de mode node entered Idle mode exited ld le node 系统时钟控制寄存器 CLKMD的说明如下 CLKMD Bit Field(s Role In The Lock Mode PLL ENABLE Allows you to switch to the bypass mode(disable the PLL PLL MULT and Determine how the input clock frequency is modified (if at all PLL DIV to produce the output clock frequency A Determines whether the PLl returns to the beginning of the phase-locking sequence when the clock generator exits its idle mode BREAKLN Indicates when the phase lock has been broken OB Determines whe ther the PLL will reacquire a lost phase lock LOCK Is 1 in the lock mode 系统时钟与外设及 CLKOUT的关系如下: 鸿翔电子 CLKDIV CPU clock CLKOUT DSP dock generator To CLKOUT pin To CPU, peripherals, ather modules CLKDIV的设置如下: CLKDIV Frequency of CLKOUT 000b 1/1 x CPU clock frequency 001 1/2 x CPu clock frequency 010b 13 x CPU clock frequency 0115 1/4 x CPU clock frequency 100b 1/5 x CPU clock frequency 101b 1/6x CPU clock frequency 110b 1/7x CPU clock frequency 111b 18× CPU clock frequency 2.2.2RIC时钟: RIC需要32.768KHZ的晶体连接到 RTCINX1与 RTCINX2的输入管上。当使用晶 振输入时,吋钟输入连接到 RTCINX1上,而 RTCINX2悬空。当此功能末用时, RTCINX1 接地, RTCINX2悬空,可用来降低功耗。 木开发板采用32768KHZ品体为RTC提供时钟信号,具体电路如下: RTCINX1 RTCINX2 Crvstal 32.768kHz C1 C2 鸿翔电子 2.3存储空间 VC5509A支持统一编址的存储空间,但其PGE与GHH两种封装所能访问的空间是 不同的,区别主要是GHH封装共有21个地址线,所以它每个片选所能访问的异步空间为 1MX16位,而PGE封装的只有14个地址线,所以它每个片选所能访问的异步空问为8KX 2.3.1片上存储体 32KX16位单周期访问DRAM,程序/数据均可访问,分为8块,每块大小为4KX16 位 96KX16位单周期访问SRAM,程序数据均可访问,分为24块,每块人小为4KX16 位 32KⅩ16位1周期等待ROM,已经固化了 bootloader程序,用于上电引导,用户无 法使用 2.3.2片外存储空间 片外存储空间的访问通过EMF( External Memory Interface)接∏来完成,VC5509A 片外有4个空间(对应4个片选信号),支持的存储体类型包括异步SRAM、 FLASH和 SDRAM。当采用 SDRAM时,最大可访问空间为8MX16位(片外4个空间全用);当连 接SRAM、 FLASH时,PGE封装每个片选信号可访问的空间为8KX16位,总共为32KX16 位;GHH封装每个片选信号可访问的空间为MⅩ16位,总共为4MX16位。 关于EMF的详细说明,参阅《TMS320vC5509 DSP External Memory Interface(EMIF) Reference guide》。 下面给出PGE封装的存储空间分配图。(见《TMS320VC5509 A Data sheet 鸿翔电子 Byte Address Mem。ryB|。cks B|。 ck Size 00000 MMR (R sYG 0000c0 DARAMI HPLAccess (32K-192) Bytes 008000 DARAMt 32K Bytes 010000 SARAM§ 192K Bytes 040000 External-CEO 16K B A 4M Bytes- 256K Bytes SDRAMF 400000 External1-CEl 16K Bytes- Asynchronous 4M Bytes -SDRAM 800000 External -CE2 16K Bytes- Asynchronous 4M Bytes- SDRAM c0D000 16K Bytes -Asynchronous External aM Bytes- SDRAM ( MPNMC =1) FF0000 4M Bytes -64K Bytes If Internal RoM selected (MPNMC =0) ROMII ExternalT-CE3 32K Bytes if MPNMC=0) (if MPNNC=1) FF8000 ROMI Externall- ce3 ( f MPNMC=0)(if MPNMC=1) 16K Bytes FFC000 SROMII 'if SROM=0 Externall-CE3 FFFFFF L MPNMC-0) if MPNMC-1)16KBytes 明伟TMS320VC5509A开发板外扩一片16位的 SDRAM,用CEO选通,容量为4MX 16位,寻址占用CF0和CF1两个存储空间。最大可配置为8M*16位,占用CF0CF3全 部四个片外存储空间 片选CE0-CE3引至总线护展器上,供用户自行连接设备。 2.4增强HPI与 GPIOA 在ⅴC5509D$P中FMIF、EHPI和 GPIOA是复用A、C组管脚的。它们的转换受复 位时GPO0管脚的状态与外部总线选择器FBSR( External Bus Sclcction Rcgistcr)的 Parallel Port mode位来决定的。其转换关系如下: 口在复位时: 当GPIO0为高时,A为EMIF的地址输出,C为EMIF的控制总线; 当GPIO0为低付,A为HPI的地址输出,C为HIP的控制总线输出; 木廾发板通过跳线J2对GPIO0引脚进行上拉和卜拉,以实现不同的配置。 口在复位后:其选择是由EBSR的 Parallel port mode位决定 【实例截图】
【核心代码】
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